Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -3.5A; 1.1W; SOT23

0.51/ gab.Цена
в том числе НДС 21%
ID:1196354
Код:SI2377EDS-T1-GE3
Артикул:SI2377EDS-T1-GE3
Группа:Электроника и промышленностьPusvadītāji (LV)Tranzistori (LV)Unipolārie tranzistori (LV)Tranzistori ar P veida kanālu (LV)Tranzistori ar P veida kanālu SMD (LV)
Производитель:VISHAY
Доступно на складе:
2891
Время доставки:1-2дней
Minimalālais daudzums:3
Описание товара
Manufacturer:VISHAY
Case:SOT23
Mounting:SMD
Features of semiconductor devices:ESD protected gate
Kind of package:reel
Kind of package:tape
Power dissipation:1.1W
Drain current:-3.5A
On-state resistance:61mΩ
Polarisation:unipolar
Gate charge:7.6nC
Kind of channel:enhanced
Gate-source voltage:±8V
Type of transistor:P-MOSFET
Drain-source voltage:-20V
(EN)
Параметры
Минимальный заказ:3
Задать вопрос


+371 67543310
P-PK 9-18
КАТЕГОРИИ
Корзина пуста