Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -13.9A; Idm: -60A; 33W

1.51/ gab.Цена
в том числе НДС 21%
ID:959339
Код:SI7617DN-T1-GE3
Артикул:SI7617DN-T1-GE3
Группа:Электроника и промышленностьPusvadītāji (LV)Tranzistori (LV)Unipolārie tranzistori (LV)Tranzistori ar P veida kanālu (LV)Tranzistori ar P veida kanālu SMD (LV)
Производитель:VISHAY
Доступно на складе:
2890
Время доставки:1-2дней
Minimalālais daudzums:1
Описание товара
Manufacturer:VISHAY
Mounting:SMD
Drain-source voltage:-30V
Drain current:-13.9A
On-state resistance:12.3mΩ
Type of transistor:P-MOSFET
Power dissipation:33W
Polarisation:unipolar
Gate charge:59nC
Kind of channel:enhanced
Gate-source voltage:±25V
Pulsed drain current:-60A
Kind of package:reel
Kind of package:tape
Case:PowerPAK® 1212-8
(EN)
Параметры
Минимальный заказ:1
Задать вопрос


+371 67543310
P-PK 9-18
КАТЕГОРИИ
Корзина пуста