Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -86.6A; Idm: -300A; 42W

2.09/ gab.Цена
в том числе НДС 21%
ID:243840
Код:SISS05DN-T1-GE3
Артикул:SISS05DN-T1-GE3
Группа:Электроника и промышленностьPusvadītāji (LV)Tranzistori (LV)Unipolārie tranzistori (LV)Tranzistori ar P veida kanālu (LV)Tranzistori ar P veida kanālu SMD (LV)
Производитель:VISHAY
Доступно на складе:
2765
Время доставки:1-2дней
Minimalālais daudzums:1
Описание товара
Manufacturer:VISHAY
Mounting:SMD
Case:PowerPAK® 1212-8
Kind of package:reel
Kind of package:tape
Power dissipation:42W
Drain-source voltage:-30V
Drain current:-86.6A
On-state resistance:5.8mΩ
Type of transistor:P-MOSFET
Polarisation:unipolar
Gate charge:115nC
Kind of channel:enhanced
Gate-source voltage:-20...16V
Pulsed drain current:-300A
(EN)
Параметры
Минимальный заказ:1
Задать вопрос


+371 67543310
P-PK 9-18
КАТЕГОРИИ
Корзина пуста