Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 1.2kV; SMT

12.15/ gab.Цена
в том числе НДС 21%
ID:382463
Код:IXA30RG1200DHGLB
Артикул:IXA30RG1200DHGLB
Группа:Электроника и промышленностьPusvadītāji (LV)Tranzistori (LV)Tranzistori un moduļi IGBT (LV)Moduļi IGBT (LV)
Производитель:IXYS
Доступно на складе:
53
Время доставки:1-2дней
Minimalālais daudzums:1
Описание товара
Manufacturer:IXYS
Max. off-state voltage:1.2kV
Semiconductor structure:diode/transistor
Gate-emitter voltage:±20V
Collector current:30A
Pulsed collector current:75A
Power dissipation:147W
Electrical mounting:SMT
Type of module:IGBT
Technology:ISOPLUS™
Technology:Sonic FRD™
Topology:boost chopper
Case:SMPD-B
(EN)
Параметры
Вес единицы:0.007 кг
Минимальный заказ:1
Задать вопрос


+371 67543310
P-PK 9-18
КАТЕГОРИИ
Корзина пуста