Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.2kV; Ic: 50A; SOT227B

56.30/ gab.Цена
в том числе НДС 21%
ID:231822
Код:IXGN50N120C3H1
Артикул:IXGN50N120C3H1
Группа:Электроника и промышленностьPusvadītāji (LV)Tranzistori (LV)Tranzistori un moduļi IGBT (LV)Moduļi IGBT (LV)
Производитель:IXYS
Доступно на складе:
1- Precizēt pieejamību rakstot uz e-pastu semicom@semicom.lv
Время доставки:1-2дней
Minimalālais daudzums:1
Описание товара
Manufacturer:IXYS
Gate-emitter voltage:±20V
Collector current:50A
Pulsed collector current:240A
Power dissipation:460W
Electrical mounting:screw
Mechanical mounting:screw
Type of module:IGBT
Technology:GenX3™
Technology:PT
Case:SOT227B
Max. off-state voltage:1.2kV
Semiconductor structure:single transistor
(EN)
Параметры
Вес единицы:0.037 кг
Минимальный заказ:1
Задать вопрос


+371 67543310
P-PK 9-18
КАТЕГОРИИ
Корзина пуста