Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 1200V; L3.0

66.95/ gab.Цена
в том числе НДС 21%
ID:1432265
Код:GD35PJY120L3S
Артикул:GD35PJY120L3S
Группа:Электроника и промышленностьPusvadītāji (LV)Tranzistori (LV)Tranzistori un moduļi IGBT (LV)Moduļi IGBT (LV)
Производитель:STARPOWER SEMICONDUCTOR
Доступно на складе:
16
Время доставки:1-2дней
Minimalālais daudzums:1
Описание товара
Manufacturer:STARPOWER SEMICONDUCTOR
Case:L3.0
Electrical mounting:Press-in PCB
Mechanical mounting:screw
Type of module:IGBT
Technology:Advanced Trench FS IGBT
Topology:boost chopper
Topology:IGBT three-phase bridge OE output
Topology:NTC thermistor
Topology:three-phase diode bridge
Max. off-state voltage:1.2kV
Semiconductor structure:diode/transistor
Gate-emitter voltage:±20V
Collector current:35A
Pulsed collector current:70A
(EN)
Параметры
Вес единицы:0.043 кг
Минимальный заказ:1
Задать вопрос


+371 67543310
P-PK 9-18
КАТЕГОРИИ
Корзина пуста