Module: IGBT; diode/transistor; IGBT half-bridge; Urmax: 1.2kV

19.62/ gab.Цена
в том числе НДС 21%
ID:382464
Код:IXA30PG1200DHGLB
Артикул:IXA30PG1200DHGLB
Группа:Электроника и промышленностьPusvadītāji (LV)Tranzistori (LV)Tranzistori un moduļi IGBT (LV)Moduļi IGBT (LV)
Производитель:IXYS
Доступно на складе:
9
Время доставки:1-2дней
Minimalālais daudzums:1
Описание товара
Manufacturer:IXYS
Case:SMPD-B
Max. off-state voltage:1.2kV
Semiconductor structure:diode/transistor
Gate-emitter voltage:±20V
Collector current:30A
Pulsed collector current:75A
Power dissipation:150W
Electrical mounting:SMT
Type of module:IGBT
Technology:ISOPLUS™
Technology:Sonic FRD™
Topology:IGBT half-bridge
(EN)
Параметры
Вес единицы:0.007 кг
Минимальный заказ:1
Задать вопрос


+371 67543310
P-PK 9-18
КАТЕГОРИИ
Корзина пуста