Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.2kV; Ic: 50A; SOT227B

56.30/ gab.Cena
ieskaitot PVN 21%
ID:231822
Kods:IXGN50N120C3H1
Artikuls:IXGN50N120C3H1
Grupa:Elektronika un rūpniecībaPusvadītājiTranzistoriTranzistori un moduļi IGBTModuļi IGBT
Ražotājs:IXYS
Pieejamība piegādātāja noliktavā:
1- Precizēt pieejamību rakstot uz e-pastu semicom@semicom.lv
Piegādes laiks:1-2 darba dienas
Minimalālais daudzums:1
Produkta apraksts
Manufacturer:IXYS
Case:SOT227B
Pulsed collector current:240A
Power dissipation:460W
Electrical mounting:screw
Mechanical mounting:screw
Type of module:IGBT
Technology:GenX3™
Technology:PT
Max. off-state voltage:1.2kV
Semiconductor structure:single transistor
Gate-emitter voltage:±20V
Collector current:50A
(EN)
Parametri
Vienības svars:0.037 kg
Minimālais pasūtījums:1
Uzdot jautājumu


+371 67543310
P-PK 9-18
KATEGORIJAS