Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.2kV; Ic: 56A; SOT227B

41.53/ gab.Цена
в том числе НДС 21%
ID:382781
Код:IXA60IF1200NA
Артикул:IXA60IF1200NA
Группа:Электроника и промышленностьPusvadītāji (LV)Tranzistori (LV)Tranzistori un moduļi IGBT (LV)Moduļi IGBT (LV)
Производитель:IXYS
Доступно на складе:
30
Время доставки:1-2дней
Minimalālais daudzums:1
Описание товара
Manufacturer:IXYS
Case:SOT227B
Max. off-state voltage:1.2kV
Semiconductor structure:single transistor
Gate-emitter voltage:±20V
Collector current:56A
Pulsed collector current:150A
Power dissipation:290W
Electrical mounting:screw
Mechanical mounting:screw
Type of module:IGBT
Features of semiconductor devices:high voltage
Technology:XPT™
(EN)
Параметры
Вес единицы:0.037 кг
Минимальный заказ:1
Задать вопрос


+371 67543310
P-PK 9-18
КАТЕГОРИИ
Корзина пуста