Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 100A

103.95/ gab.Цена
в том числе НДС 21%
ID:1668998
Код:FF100R12RT4HOSA1
Артикул:FF100R12RT4HOSA1
Группа:Электроника и промышленностьPusvadītāji (LV)Tranzistori (LV)Tranzistori un moduļi IGBT (LV)Moduļi IGBT (LV)
Производитель:INFINEON TECHNOLOGIES
Доступно на складе:
1- Precizēt pieejamību rakstot uz e-pastu semicom@semicom.lv
Время доставки:1-2дней
Minimalālais daudzums:1
Описание товара
Manufacturer:INFINEON TECHNOLOGIES
Power dissipation:555W
Max. off-state voltage:1.2kV
Semiconductor structure:transistor/transistor
Case:AG-34MM
Gate-emitter voltage:±20V
Collector current:100A
Pulsed collector current:200A
Electrical mounting:FASTON connectors
Electrical mounting:screw
Mechanical mounting:screw
Type of module:IGBT
Topology:IGBT half-bridge
(EN)
Параметры
Вес единицы:0.16 кг
Минимальный заказ:1
Задать вопрос


+371 67543310
P-PK 9-18
КАТЕГОРИИ
Корзина пуста