Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 200A

273.16/ gab.Цена
в том числе НДС 21%
ID:1172957
Код:FF200R17KE4
Артикул:FF200R17KE4HOSA1
Группа:Электроника и промышленностьPusvadītāji (LV)Tranzistori (LV)Tranzistori un moduļi IGBT (LV)Moduļi IGBT (LV)
Производитель:INFINEON TECHNOLOGIES
Доступно на складе:
4
Время доставки:1-2дней
Minimalālais daudzums:1
Описание товара
Manufacturer:INFINEON TECHNOLOGIES
Topology:IGBT half-bridge
Case:AG-62MM-1
Power dissipation:1.25kW
Collector current:200A
Electrical mounting:screw
Mechanical mounting:screw
Type of module:IGBT
Max. off-state voltage:1.7kV
Semiconductor structure:transistor/transistor
Gate-emitter voltage:±20V
Pulsed collector current:400A
(EN)
Параметры
Вес единицы:0.335 кг
Минимальный заказ:1
Задать вопрос


+371 67543310
P-PK 9-18
КАТЕГОРИИ
Корзина пуста