Module; single transistor; 300V; 192A; SOT227B; screw; Idm: 550A

69.88/ gab.Цена
в том числе НДС 21%
ID:371853
Код:IXFN210N30P3
Артикул:IXFN210N30P3
Группа:Электроника и промышленностьPusvadītāji (LV)Tranzistori (LV)Unipolārie tranzistori (LV)Tranzistoru moduļi MOSFET (LV)
Производитель:IXYS
Доступно на складе:
1- Precizēt pieejamību rakstot uz e-pastu semicom@semicom.lv
Время доставки:1-2дней
Minimalālais daudzums:1
Описание товара
Manufacturer:IXYS
Semiconductor structure:single transistor
Reverse recovery time:250ns
Drain-source voltage:300V
Drain current:192A
On-state resistance:14.5mΩ
Power dissipation:1.5kW
Polarisation:unipolar
Electrical mounting:screw
Mechanical mounting:screw
Type of module:MOSFET transistor
Gate charge:268nC
Technology:HiPerFET™
Technology:Polar3™
Gate-source voltage:±30V
Pulsed drain current:550A
Kind of channel:enhanced
Case:SOT227B
(EN)
Параметры
Вес единицы:0.037 кг
Минимальный заказ:1
Задать вопрос


+371 67543310
P-PK 9-18
КАТЕГОРИИ
Корзина пуста