Module; single transistor; 600V; 66A; SOT227B; screw; Idm: 200A

38.47/ gab.Цена
в том числе НДС 21%
ID:384250
Код:IXFN80N60P3
Артикул:IXFN80N60P3
Группа:Электроника и промышленностьPusvadītāji (LV)Tranzistori (LV)Unipolārie tranzistori (LV)Tranzistoru moduļi MOSFET (LV)
Производитель:IXYS
Доступно на складе:
1- Precizēt pieejamību rakstot uz e-pastu semicom@semicom.lv
Время доставки:1-2дней
Minimalālais daudzums:1
Описание товара
Manufacturer:IXYS
Type of module:MOSFET transistor
Power dissipation:960W
Polarisation:unipolar
Electrical mounting:screw
Mechanical mounting:screw
Gate charge:0.19µC
Technology:HiPerFET™
Technology:Polar3™
Kind of channel:enhanced
Gate-source voltage:±40V
Pulsed drain current:200A
Case:SOT227B
Semiconductor structure:single transistor
Reverse recovery time:250ns
Drain-source voltage:600V
Drain current:66A
On-state resistance:77mΩ
(EN)
Параметры
Вес единицы:0.037 кг
Минимальный заказ:1
Задать вопрос


+371 67543310
P-PK 9-18
КАТЕГОРИИ
Корзина пуста