   | Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 1.7kV; 10A; 150W; TO26338.87€/ gab.Цена в том числе НДС 21%
|
Описание товара
| Manufacturer: | IXYS |
| Technology: | BiMOSFET™ |
| Mounting: | SMD |
| Power dissipation: | 150W |
| Features of semiconductor devices: | high voltage |
| Case: | TO263 |
| Kind of package: | tube |
| Gate-emitter voltage: | ±20V |
| Collector current: | 10A |
| Pulsed collector current: | 40A |
| Turn-on time: | 43ns |
| Turn-off time: | 370ns |
| Type of transistor: | IGBT |
| Gate charge: | 65nC |
| Collector-emitter voltage: | 1.7kV |
Параметры
| Вес единицы: | 0.001 кг |
|---|---|
| Минимальный заказ: | 1 |
Задать вопрос
Līdzīgas preces
Līdzīgas preces
АКЦИИ / ВЫГОДНЫЕ ПРЕДЛОЖЕНИЕ
VEIKALIEM.LV