Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 1.7kV; 24A; 250W; TO268

33.94/ gab.Цена
в том числе НДС 21%
ID:382363
Код:IXBT24N170
Артикул:IXBT24N170
Группа:Электроника и промышленностьPusvadītāji (LV)Tranzistori (LV)Tranzistori un moduļi IGBT (LV)Tranzistori IGBT (LV)Tranzistori IGBT SMD (LV)
Производитель:IXYS
Доступно на складе:
23
Время доставки:1-2дней
Minimalālais daudzums:1
Описание товара
Manufacturer:IXYS
Case:TO268
Mounting:SMD
Turn-off time:1285ns
Type of transistor:IGBT
Power dissipation:250W
Kind of package:tube
Features of semiconductor devices:high voltage
Gate charge:0.14µC
Technology:BiMOSFET™
Collector-emitter voltage:1.7kV
Gate-emitter voltage:±20V
Collector current:24A
Pulsed collector current:230A
Turn-on time:190ns
(EN)
Параметры
Вес единицы:0.004 кг
Минимальный заказ:1
Задать вопрос


+371 67543310
P-PK 9-18
КАТЕГОРИИ
Корзина пуста