Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 2.5kV; 2A; 32W; TO268

25.46/ gab.Цена
в том числе НДС 21%
ID:382361
Код:IXBT2N250
Артикул:IXBT2N250
Группа:Электроника и промышленностьPusvadītāji (LV)Tranzistori (LV)Tranzistori un moduļi IGBT (LV)Tranzistori IGBT (LV)Tranzistori IGBT SMD (LV)
Производитель:IXYS
Доступно на складе:
11
Время доставки:1-2дней
Minimalālais daudzums:1
Описание товара
Manufacturer:IXYS
Kind of package:tube
Technology:BiMOSFET™
Collector-emitter voltage:2.5kV
Gate-emitter voltage:±20V
Collector current:2A
Pulsed collector current:13A
Turn-on time:310ns
Turn-off time:252ns
Type of transistor:IGBT
Case:TO268
Power dissipation:32W
Mounting:SMD
Features of semiconductor devices:high voltage
Gate charge:10.6nC
(EN)
Параметры
Вес единицы:0.004 кг
Минимальный заказ:1
Задать вопрос


+371 67543310
P-PK 9-18
КАТЕГОРИИ
Корзина пуста