Transistor: N-JFET; CoolGaN™; unipolar; HEMT; 600V; 12.5A; Idm: 23A

14.47/ gab.Цена
в том числе НДС 21%
ID:387565
Код:IGT60R190D1SATMA1
Артикул:IGT60R190D1SATMA1
Группа:Электроника и промышленностьPusvadītāji (LV)Tranzistori (LV)Unipolārie tranzistori (LV)Tranzistori ar N veida kanālu (LV)Tranzistori ar N veida kanālu SMD (LV)
Производитель:INFINEON TECHNOLOGIES
Доступно на складе:
7
Время доставки:1-2дней
Minimalālais daudzums:1
Описание товара
Manufacturer:INFINEON TECHNOLOGIES
Case:PG-HSOF-8-3
Drain-source voltage:600V
Drain current:12.5A
On-state resistance:0.19Ω
Type of transistor:N-JFET
Power dissipation:55.5W
Polarisation:unipolar
Kind of package:tape
Gate charge:3.2nC
Technology:CoolGaN™
Kind of transistor:HEMT
Kind of channel:enhanced
Gate-source voltage:-10V
Pulsed drain current:23A
Mounting:SMD
Gate current:7.7mA
(EN)
Параметры
Минимальный заказ:1
Задать вопрос


+371 67543310
P-PK 9-18
КАТЕГОРИИ
Корзина пуста