Transistor: N-MOSFET; GigaMOS™; unipolar; 55V; 550A; Idm: 2kA; 830W

65.62/ gab.Цена
в том числе НДС 21%
ID:387119
Код:MMIX1T550N055T2
Артикул:MMIX1T550N055T2
Группа:Электроника и промышленностьPusvadītāji (LV)Tranzistori (LV)Unipolārie tranzistori (LV)Tranzistori ar N veida kanālu (LV)Tranzistori ar N veida kanālu SMD (LV)
Производитель:IXYS
Доступно на складе:
20
Время доставки:1-2дней
Minimalālais daudzums:1
Описание товара
Manufacturer:IXYS
Mounting:SMD
Reverse recovery time:100ns
Drain-source voltage:55V
Drain current:550A
On-state resistance:1.3mΩ
Type of transistor:N-MOSFET
Power dissipation:830W
Polarisation:unipolar
Gate charge:595nC
Technology:GigaMOS™
Technology:TrenchT2™
Kind of channel:enhanced
Gate-source voltage:±20V
Pulsed drain current:2kA
Case:SMPD
(EN)
Параметры
Вес единицы:0.008 кг
Минимальный заказ:1
Задать вопрос


+371 67543310
P-PK 9-18
КАТЕГОРИИ
Корзина пуста