Transistor: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; unipolar; 600V; 500mA; Idm: 2A

1.35/ gab.Цена
в том числе НДС 21%
ID:1015700
Код:P0R5B60HP2-5071
Артикул:P0R5B60HP2-5071
Группа:Электроника и промышленностьPusvadītāji (LV)Tranzistori (LV)Unipolārie tranzistori (LV)Tranzistori ar N veida kanālu (LV)Tranzistori ar N veida kanālu SMD (LV)
Производитель:SHINDENGEN
Доступно на складе:
2999
Время доставки:1-2дней
Minimalālais daudzums:1
Описание товара
Manufacturer:SHINDENGEN
Mounting:SMD
Kind of package:reel
Kind of package:tape
Case:FB (TO252AA)
Power dissipation:35W
Technology:Hi-PotMOS2
Drain-source voltage:600V
Drain current:0.5A
On-state resistance:10Ω
Type of transistor:N-MOSFET
Polarisation:unipolar
Gate charge:4.3nC
Kind of channel:enhanced
Gate-source voltage:±30V
Pulsed drain current:2A
(EN)
Параметры
Минимальный заказ:1
Задать вопрос


+371 67543310
P-PK 9-18
КАТЕГОРИИ
Корзина пуста