 | Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 27A; Idm: 80A; 241W27.83€/ gab.Цена в том числе НДС 21%
|
Описание товара
| Manufacturer: | BASiC SEMICONDUCTOR |
| Type of transistor: | N-MOSFET |
| Technology: | SiC |
| Polarisation: | unipolar |
| Drain-source voltage: | 1.2kV |
| Drain current: | 27A |
| Pulsed drain current: | 80A |
| Power dissipation: | 241W |
| Case: | TO247-3 |
| Gate-source voltage: | -5...20V |
| On-state resistance: | 80mΩ |
| Mounting: | THT |
| Gate charge: | 149nC |
| Kind of package: | tube |
| Kind of channel: | enhanced |
Параметры
| Вес единицы: | 0.006 кг |
|---|---|
| Минимальный заказ: | 1 |
Задать вопрос
Līdzīgas preces
Līdzīgas preces
АКЦИИ / ВЫГОДНЫЕ ПРЕДЛОЖЕНИЕ
VEIKALIEM.LV