   | Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 50A; Idm: 130A; 318W49.25€/ gab.Цена в том числе НДС 21%
|
Описание товара
| Manufacturer: | STMicroelectronics |
| Mounting: | THT |
| Case: | HIP247™ |
| Power dissipation: | 318W |
| Technology: | SiC |
| Technology: | SiCFET |
| Kind of package: | tube |
| Drain-source voltage: | 1.2kV |
| Drain current: | 50A |
| On-state resistance: | 70mΩ |
| Type of transistor: | N-MOSFET |
| Polarisation: | unipolar |
| Gate charge: | 122nC |
| Gate-source voltage: | -10...25V |
| Pulsed drain current: | 130A |
Параметры
| Вес единицы: | 0.004 кг |
|---|---|
| Минимальный заказ: | 1 |
Задать вопрос
Līdzīgas preces
Līdzīgas preces
АКЦИИ / ВЫГОДНЫЕ ПРЕДЛОЖЕНИЕ
VEIKALIEM.LV