Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 19A; Idm: 89A; 219W; TO247-3

10.30/ gab.Цена
в том числе НДС 21%
ID:1010803
Код:APT30N60BC6
Артикул:APT30N60BC6
Группа:Электроника и промышленностьPusvadītāji (LV)Tranzistori (LV)Unipolārie tranzistori (LV)Tranzistori ar N veida kanālu (LV)Tranzistori ar N veida kanālu THT (LV)
Производитель:MICROCHIP (MICROSEMI)
Доступно на складе:
16
Время доставки:1-2дней
Minimalālais daudzums:1
Описание товара
Manufacturer:MICROCHIP (MICROSEMI)
Case:TO247-3
Mounting:THT
On-state resistance:0.125Ω
Technology:CoolMOS™
Drain current:19A
Type of transistor:N-MOSFET
Power dissipation:219W
Polarisation:unipolar
Gate charge:88nC
Kind of channel:enhanced
Gate-source voltage:±20V
Pulsed drain current:89A
Drain-source voltage:600V
(EN)
Параметры
Вес единицы:0.005 кг
Минимальный заказ:1
Задать вопрос


+371 67543310
P-PK 9-18
КАТЕГОРИИ
Корзина пуста