Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.2kV; Ic: 29A; SOT227B

67.20/ gab.Цена
в том числе НДС 21%
ID:1117165
Код:APT35GP120J
Артикул:APT35GP120J
Группа:Электроника и промышленностьPusvadītāji (LV)Tranzistori (LV)Tranzistori un moduļi IGBT (LV)Moduļi IGBT (LV)
Производитель:MICROCHIP (MICROSEMI)
Доступно на складе:
1- Precizēt pieejamību rakstot uz e-pastu semicom@semicom.lv
Время доставки:1-2дней
Minimalālais daudzums:1
Описание товара
Manufacturer:MICROCHIP (MICROSEMI)
Max. off-state voltage:1.2kV
Semiconductor structure:single transistor
Gate-emitter voltage:±30V
Collector current:29A
Pulsed collector current:140A
Electrical mounting:screw
Mechanical mounting:screw
Type of module:IGBT
Technology:POWER MOS 7®
Technology:PT
Case:SOT227B
(EN)
Параметры
Вес единицы:0.036 кг
Минимальный заказ:1
Задать вопрос


+371 67543310
P-PK 9-18
КАТЕГОРИИ
Корзина пуста