Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.2kV; Ic: 29A; SOT227B

67.63/ gab.Cena
ieskaitot PVN 21%
ID:1117165
Kods:APT35GP120J
Artikuls:APT35GP120J
Grupa:Elektronika un rūpniecībaPusvadītājiTranzistoriTranzistori un moduļi IGBTModuļi IGBT
Ražotājs:MICROCHIP (MICROSEMI)
Pieejamība piegādātāja noliktavā:
1- Precizēt pieejamību rakstot uz e-pastu semicom@semicom.lv
Piegādes laiks:1-2 darba dienas
Minimalālais daudzums:1
Produkta apraksts
Manufacturer:MICROCHIP (MICROSEMI)
Type of module:IGBT
Case:SOT227B
Max. off-state voltage:1.2kV
Semiconductor structure:single transistor
Gate-emitter voltage:±30V
Collector current:29A
Pulsed collector current:140A
Electrical mounting:screw
Mechanical mounting:screw
Technology:POWER MOS 7®
Technology:PT
(EN)
Parametri
Vienības svars:0.036 kg
Minimālais pasūtījums:1
Uzdot jautājumu


+371 67543310
P-PK 9-18
KATEGORIJAS