Module; single transistor; 1kV; 23A; SOT227B; screw; Idm: 65A; 595W

80.53/ gab.Цена
в том числе НДС 21%
ID:384273
Код:IXFN26N100P
Артикул:IXFN26N100P
Группа:Электроника и промышленностьPusvadītāji (LV)Tranzistori (LV)Unipolārie tranzistori (LV)Tranzistoru moduļi MOSFET (LV)
Производитель:IXYS
Доступно на складе:
6
Время доставки:1-2дней
Minimalālais daudzums:1
Описание товара
Manufacturer:IXYS
Case:SOT227B
On-state resistance:390mΩ
Power dissipation:595W
Polarisation:unipolar
Electrical mounting:screw
Mechanical mounting:screw
Type of module:MOSFET transistor
Gate charge:197nC
Technology:HiPerFET™
Technology:Polar™
Kind of channel:enhanced
Gate-source voltage:±40V
Pulsed drain current:65A
Semiconductor structure:single transistor
Reverse recovery time:300ns
Drain-source voltage:1kV
Drain current:23A
(EN)
Параметры
Вес единицы:0.037 кг
Минимальный заказ:1
Задать вопрос


+371 67543310
P-PK 9-18
КАТЕГОРИИ
Корзина пуста